某半导体集成电路芯片集成电路芯片生产厂在晶圆处置的时候中，实用硅烷进行硅外加生长发育，氮氧化合物清洗塔产生高氨水浓度含硅废液。废液兼具pH起伏大（2-11）、硅含量高的特性，传统性处置手段易突然出现硅垢不通困难。 电镀废水化学成分及由来 废水处理工艺注意化学物质为： 熔化分解性硅酸盐 ：SiO₂有机废气浓度达1000-1500mg/L 硫酸钠/氢阳极氧化钠 ：清洗塔酸碱性清洗液残留物 粒子硅 ：纳米级级SiO₂悬浊液 痕量砷 ：化学原料杂质残渣带进 处置艺工作流程 科学创新主要采用"二级与+膜过滤器+多效蒸发凝结"工艺技术： 一級中合 ：用CaO调试pH至4-5，转换成硅酸钙乳浊液，硅弄掉率60%。 两级与 ：加Na₂CO₃将pH加快至9，进三步沉垫多余硅，电容串联用镁剂除砷。 反渗透装置系统的 ：0.02μm陶瓷制品膜滤过納米级硅粉末，通量不稳定性在80LMH。 MVR减压蒸馏器 ：浸提高盐污水，析出出Na₂SO₄副企业产品，水中水回用率超90%。 从而目的 总硅从1500mg/L降下来5mg/L下 砷成分从0.8mg/L减少为0.01mg/L 系统无结渣运营超出2年 今年回收分类处理氢氧化钠钠多晶体约800吨